Mussa Mgosi — Профиль игрока

Данные игрока

Основное положение

Основная позиция:
Центральный нападающий

Факты и данные

Имя в родной стране: Мусса Хассан Мгунья Мгоси Дата рождения: 20 августа, 1985 Место рождения: Моши Возраст: 37 Высота: 1,80 м Гражданство: Танзания Позиция: Атака — Центральный нападающий Ступня: верно Текущий клуб: Неизвестный Присоединился: 1 июля 2017 г.

Контракт истекает: —

Дальнейшая информация

Неизвестно с 2017-2018: ФК Додома

История трансферов

Сезон

Дата

Вышел

Присоединился

М.В.

Симба СК

Неизвестный

—

?

15/16

1 июля 2015 г.

Мтибва Сахар

Simba SC

—

?

14/13

1 июля 2013 г.

JKT-Руву

Мтибва Сахар

—

?

13/12

1 июля 2012 г.

DC Мотема Пембе

JKT-Ruvu

—

?

10/11

1 января 2011 г.

Симба СК

DC Мотема Пембе

—

?

05/04

1 января 2005 г.

Мтибва Сахар

Simba SC

—

?

04.03

1 января 2004 г.

Неизвестный

Сахар Мтибва

—

?

Общая комиссия за перевод:

Career stats

Competition wettbewerb          
Total :   2 — — — 167
CAF-Champions League 2 — — — 167

View full stats

[PDF] Electrical spin injection in p-type Si using Контакты Fe/MgO

  • title={Электрическая спиновая инжекция в кремний p-типа с использованием контактов Fe/MgO}, автор = {Орели Списсер, С. Шарма, Х. Сайто, Рон Янсен, Синдзи Юаса и Кодзи Андо}, booktitle={Другие конференции}, год = {2012} } 9
  • Материаловедение, физика с использованием эпитаксиального туннельного барьера MgO(001) и электрода Fe(001). Наблюдения дифракции быстрых электронов на отражение показали, что эпитаксиальные туннельные контакты Fe / MgO (001) могут быть выращены на реконструированной поверхности Si (2 × 1), тогда как туннельные контакты, выращенные на поверхности Si (1 × 1), были поликристаллическими. Изображения просвечивающей электронной микроскопии показали более плоскую границу раздела для эпитаксиального Fe/MgO/Si… 

    Посмотреть на SPIE

    arxiv.org

    Эффект спиновой аккумуляции при комнатной температуре в кремнии, легированном бором, созданный эпитаксиальным контактом Шоттки Fe3Si/p-Si

    • А. Тарасов, И. Бондарев, Н. Волков

    • Физика, материаловедение

      Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques

    • 2018

    фотолитография и влажная химия…

    Магнитотранспортные явления и накопление спинов в МДП-структурах

    Настоящая работа посвящена магнитному транспорту в гибридных структурах Fe/SiO2/p-Si, Mn/SiO2/p-Si и Fe3Si/p-Si. Для диода Mn/SiO2/p-Si наблюдались чрезвычайно большие значения магнитосопротивления (105…

    Структура и магнитные свойства эпитаксиальной гетероструктуры Fe(110)/MgO(111)/GaN(0001)

    • Н. Халид, Дж. Ким, К. Барнс

    • Материаловедение, физика

    • 2018

    Представлены структурные и магнитные свойства полностью эпитаксиальных туннельных барьерных структур Fe(110)/MgO(111)/GaN(0001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. In-situ reflection high-energy electron…

    Efficient Spin Injection into Silicon and the Role of the Schottky Barrier

    • André Dankert, R. S. Dulal, S. Dash

    • Physics

      Scientific Reports

    • 2013

    Резкое изменение в процессах инжекции и детектирования спинов с повышенным сопротивлением барьера Шоттки может быть связано с развязкой спинов в интерфейсных состояниях от объемной зоны Si, что приводит к переходу от прямого туннелирования к локализованному состоянию.

    Эпитаксиальное наращивание слоев Fe3O4 на С-плоскости сапфира методом импульсного лазерного напыления

    • Маликов И.В., Березин В.В., Фомин Л.В., Михайлов Г.М.

    Изучено влияние температуры подложки и давления молекулярного кислорода на рост тонких (<180 нм) эпитаксиальных пленок Fe3O4(111) на С-плоскости монокристаллического сапфира…

    Магнитные свойства эпитаксиальных Структуры Fe/MgO на Si(100)

    • J. H. Jo, Eun Jeong Shin, Hyung-jun Kim, S. Lim

    • Материаловедение

    • 2017

    Подавление спинового транспорта в переходах ферромагнетик/оксид/полупроводник 2 магнитными примесями

  • A. Spiesser, H. Saito, S. Yuasa, R. Jansen

  • Physics

  • 2016

Fe/GeO2 на Ge p-типа влияет на спиновый транспорт, используя трехполюсник Ханле…

Силиконовая спинтроника: прогресс и проблемы

  • V. Sverdlov, S. Selberherr

  • Физика

  • 2015

Характеристика MGO Thin Films Grown On Carbine Meaturals

. Miwa, Yoshishige Suzuki

  • Материаловедение, физика

  • 2013

    • Тонкие пленки MgO были выращены на высокоориентированных пиролитических графитовых (HOPG) и ориентированных (001) алмазных подложках методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Кристаллическая структура MgO характеризовалась отражением…

    Кремний-на-изоляторе для спинтроники: время жизни спина и манипулирование электрическим спином размер быстро приближается к предельным пределам масштабирования, спин электрона привлекает большое внимание как альтернатива заряду электрона…0005

    Спиновая инжекция Fe в Si(001): расчеты Ab initio и роль комплексной зонной структуры Si Si(001) с использованием барьера Шоттки на контакте Fe/Si в качестве туннельного барьера.
    Наши расчеты основаны на теории функционала плотности для…

    Электрическая инжекция и обнаружение спинового накопления в Ge при комнатной температуре

    • A. Hanbicki, S. Cheng, R. Goswami, O.V. Erve, B. Jonker

    • Physics

    • 2012

    Накопление электрического спина с улучшенной зависимостью от напряжения смещения в кристаллической системе CoFe/MgO2/Si

    • K. Jeon, B. Min, Sung-chul Shin

    • Физика, материаловедение

    • 2011

    Мы сообщаем о накоплении электрического спина с усиленной зависимостью напряжения смещения в кремнии n-типа с использованием кристаллического CoFe/ Туннельный контакт MgO. Значительный спиновой сигнал ∼4,8 кОм мкм2, время жизни спина…

    Прецессия спина и инвертированный эффект Ханле в полупроводнике вблизи ферромагнитной поверхности с конечной шероховатостью

    • С. Даш, С. Шарма, Р. Янсен

    • Физика

    • 2011
    9000 были продемонстрированы различные немагнитные среды посредством инжекции электрического спина из ферромагнитного туннельного контакта, большая часть основного поведения сильно…0204
    • G. Miao, Joonyeon Chang, J. Moodera

    • Материаловедение, физика

    • 2008

    Эпитаксиальный рост барьера MgO на Si имеет технологическое значение из-за эффекта фильтрации симметрии барьера MgO в сочетании с ОЦК-ферромагнетиками. Мы изучаем эпитаксиальный рост MgO…

    Электрическое создание спиновой аккумуляции в германии p-типа

    • Х. Сайто, С. Ватанабэ, К. Андо

    • Физика

    • 2011

    Влияние введения барьера MgO на спин-зависимые транспортные свойства гетеропереходов CoFe/n-GaAs

    • T. Akiho, T. Uemura, M. Harada, K. Matsuda, Masafumi Yamamoto
    • 90 Physics 90

    • 2011

    Влияние введения барьера из MgO на сигнал спинового клапана в четырехполюсной нелокальной геометрии и на характеристики туннельного анизотропного магнитосопротивления (TAMR) в трехполюсной геометрии было…

    Спиновый транспорт электронов при комнатной температуре в сильно легированном канале Si отчет о первой демонстрации генерации спинового тока и спинового транспорта в высоколегированном кремниевом канале при комнатной температуре (КТ) с использованием четырехполюсного латерального устройства со спиновым инжектором…

    Гигантское туннельное магнитосопротивление при комнатной температуре с MgO (100) туннельные барьеры

    • S.